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UJ4C075023L8S
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.029 ohm, SOIC
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerUJ4C075023L8S
Bestellnummer4750199
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 17,790 |
| 5+ | € 16,740 |
| 10+ | € 15,680 |
| 50+ | € 15,670 |
| 100+ | € 12,580 |
| 250+ | € 12,330 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 17,79 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerUJ4C075023L8S
Bestellnummer4750199
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id64A
Drain-Source-Spannung Vds750V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.029ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung12V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6V
Verlustleistung278W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
64A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.029ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
750V
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
12V
Verlustleistung
278W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001