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AQW210EH
MOSFET-Relais, 350V, 120mA, 25R, DPST-NO
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQW210EH
Bestellnummer1175733
ProduktpalettePhotoMOS AQW
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 5,580 |
| 5+ | € 4,890 |
| 10+ | € 4,050 |
| 20+ | € 3,630 |
| 50+ | € 3,350 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQW210EH
Bestellnummer1175733
ProduktpalettePhotoMOS AQW
Technisches Datenblatt
KontaktkonfigurationDPST-NO
KontaktformDPST-NO (2 Form A)
LasttypAC/DC
Lastspannung, max.350V
Laststrom120mA
Bauform MOSFET-RelaisDIP-8
RelaismontageDurchsteckmontage
Durchlassstrom If1.2mA
RelaisanschlüssePC-Pin
Durchlasswiderstand, max.25ohm
Isolationsspannung5kV
I/O-Kapazität0.8pF
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.1µA
ProduktpalettePhotoMOS AQW
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
AQW210EH ist ein Halbleiterrelais mit DPST-NO-Kontakten und Anschlüssen zur Durchsteckmontage. Dieses PhotoMOS GU-E-Relais der Produktreihe AQW verfügt über eine äußerst niedrige Offset-Spannung im eingeschalteten Zustand, wodurch die Regelung von schwachen analogen Signalen ohne Verzerrung ermöglicht wird. Geeignet für die Verwendung als 2-Form-A sowie als zwei unabhängige 1-Form-A.
- Steuern von schwachen analogen Signalen
- Hohe Empfindlichkeit, kurze Ansprechzeit
- Geringer Leckstrom im ausgeschalteten Zustand
- Verstärkte Isolation: 5000V
- Verlustleistung: 850mW
- Maximale Einschaltzeit: 2ms; maximale Ausschaltzeit: 1ms
- Betriebstemperatur: -40 bis 85°C
Anwendungen
Kommunikation & Netzwerke, Sicherheitstechnik, Sensortechnik
Technische Spezifikationen
Kontaktkonfiguration
DPST-NO
Lasttyp
AC/DC
Laststrom
120mA
Relaismontage
Durchsteckmontage
Relaisanschlüsse
PC-Pin
Isolationsspannung
5kV
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.
1µA
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Kontaktform
DPST-NO (2 Form A)
Lastspannung, max.
350V
Bauform MOSFET-Relais
DIP-8
Durchlassstrom If
1.2mA
Durchlasswiderstand, max.
25ohm
I/O-Kapazität
0.8pF
Produktpalette
PhotoMOS AQW
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85364900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454