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TP70H150G4LSG-TR
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 14.2 A, 0.18 ohm, 11.3 nC, QFN, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP70H150G4LSG-TR
Bestellnummer4680962RL
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 2,070 |
| 500+ | € 1,850 |
| 1000+ | € 1,750 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP70H150G4LSG-TR
Bestellnummer4680962RL
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id14.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.18ohm
Gate-Ladung, typ.11.3nC
Bauform - TransistorQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.18ohm
Bauform - Transistor
QFN
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
14.2A
Gate-Ladung, typ.
11.3nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung