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SCT4062KWATL
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerSCT4062KWATL
Bestellnummer4365769
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id24A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.081ohm
Bauform - TransistorTO-263
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.8V
Verlustleistung93W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.081ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.8V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-263
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
93W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.01
Produktnachverfolgung