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SP8M4HZGTB
Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 1,820 |
| 100+ | € 1,290 |
| 500+ | € 0,975 |
| 1000+ | € 0,903 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerSP8M4HZGTB
Bestellnummer3580406
Technisches Datenblatt
Kanaltypn- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.012ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.012ohm
Bauform - TransistorSOP
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2W
Verlustleistung, p-Kanal2W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.012ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
2W
Produktpalette
-
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.012ohm
Bauform - Transistor
SOP
Verlustleistung, n-Kanal
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00005