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UM6J1NTN
Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 0.9 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,639 |
| 10+ | € 0,413 |
| 100+ | € 0,277 |
| 500+ | € 0,211 |
| 1000+ | € 0,184 |
| 5000+ | € 0,142 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerUM6J1NTN
Bestellnummer2706714
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal200mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.9ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.9ohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal150mW
Verlustleistung, p-Kanal150mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.9ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
150mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.9ohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Verlustleistung, n-Kanal
150mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000005
Produktnachverfolgung