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UMX1NTN

Name: Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 150 mW
Brand: ROHM
SKU: 1680410
Availability: InStock

Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 150 mW

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerROHM

HerstellerteilenummerUMX1NTN

Bestellnummer1680410

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Produktspezifikationen

HerstellerROHM

HerstellerteilenummerUMX1NTN

Bestellnummer1680410

Technisches Datenblatt

Data Sheet

WandlerpolaritätZweifach npn

Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V

Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-

Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN150mA

Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-

Verlustleistung, NPN150mW

Verlustleistung, PNP-

DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.120hFE

DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-

Bauform - TransistorSOT-363

Anzahl der Pins6Pin(s)

TransistormontageOberflächenmontage

Betriebstemperatur, max.150°C

Übergangsfrequenz, NPN180MHz

Übergangsfrequenz, PNP-

Produktpalette-

Qualifikation-

MSLMSL 1 - unbegrenzt

SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Produktbeschreibung

The UMX1NTN is a dual NPN general purpose amplification Bipolar Transistor with epitaxial planar type NPN silicon structure. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.

Ultra-compact complex digital transistor
Potential divider type
Small surface-mount package
Transistor elements are independent, eliminating interference

Anwendungen

Motorantrieb & -steuerung, Kommunikation & Netzwerke, Tragbare Geräte, Industrie, Power-Management

Warnungen und Hinweise

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Technische Spezifikationen

Wandlerpolarität

Zweifach npn

Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.

Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP

Verlustleistung, PNP

DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.

Anzahl der Pins

6Pin(s)

Betriebstemperatur, max.

150°C

Übergangsfrequenz, PNP

Qualifikation

SVHC

No SVHC (23-Jan-2024)

Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.

50V

Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN

150mA

Verlustleistung, NPN

150mW

DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.

120hFE

Bauform - Transistor

SOT-363

Transistormontage

Oberflächenmontage

Übergangsfrequenz, NPN

180MHz

Produktpalette

MSL

MSL 1 - unbegrenzt

Technische Dokumente (1)

Technical Data Sheet EN

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412100

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.000136

Produktnachverfolgung