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MD300HFC170C2S
Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerMD300HFC170C2S
Bestellnummer3549206
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
KanaltypZweifach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id484A
Drain-Source-Spannung Vds1.7kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00333ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins11Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
484A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00333ohm
Anzahl der Pins
11Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.7kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
-
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):1.21