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BDW94C
Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 80 W, 12 A, TO-220, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
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| 100+ | € 0,614 |
| 500+ | € 0,481 |
| 1000+ | € 0,390 |
| 5000+ | € 0,362 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerBDW94C
Bestellnummer9946470
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd80W
DC-Kollektorstrom12A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE1000hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BDW94C is a -100V Silicon Epitaxial Base PNP Power Transistor in monolithic Darlington configuration. It is intended for use in power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Complementary to the BDW93C
- Integrated anti-parallel collector-emitter diode
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Verlustleistung Pd
80W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
1000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
12A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BDW94C
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002