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SCT019W120G3-4AG
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.026 ohm, HiP247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT019W120G3-4AG
Bestellnummer4740492
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 18,890 |
| 5+ | € 16,830 |
| 10+ | € 15,920 |
| 50+ | € 15,110 |
| 100+ | € 14,300 |
| 250+ | € 14,180 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 18,89 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT019W120G3-4AG
Bestellnummer4740492
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id90A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.026ohm
Bauform - TransistorHiP247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.2V
Verlustleistung486W
Betriebstemperatur, max.200°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
90A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.026ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.2V
Betriebstemperatur, max.
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
HiP247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
486W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung