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SCT060HU75G3AG
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 750 V, 0.078 ohm, HU3PAK
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT060HU75G3AG
Bestellnummer4458505RL
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 8,490 |
| 50+ | € 8,060 |
| 100+ | € 7,630 |
| 250+ | € 7,200 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT060HU75G3AG
Bestellnummer4458505RL
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Spannung Vds750V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.078ohm
Bauform - TransistorHU3PAK
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.2V
Verlustleistung185W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.078ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.2V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
750V
Bauform - Transistor
HU3PAK
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
185W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001