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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT10N120
Bestellnummer3129687
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 8,540 |
5+ | € 7,940 |
10+ | € 7,340 |
50+ | € 6,750 |
100+ | € 6,150 |
250+ | € 5,550 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT10N120
Bestellnummer3129687
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.5ohm
Bauform - TransistorHiP247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung150W
Betriebstemperatur, max.200°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.5ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Betriebstemperatur, max.
200°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
HiP247
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
150W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00042
Produktnachverfolgung