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STL33N60DM2
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.115 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL33N60DM2
Bestellnummer2889931
ProduktpaletteMDmesh
Technisches Datenblatt
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL33N60DM2
Bestellnummer2889931
ProduktpaletteMDmesh
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.115ohm
Bauform - TransistorPowerFLAT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung150W
Anzahl der Pins5Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
21A
Bauform - Transistor
PowerFLAT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
150W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.115ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Produktpalette
MDmesh
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STL33N60DM2
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000106
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