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SSM6N15AFU,LF(T
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,218 |
| 9000+ | € 0,157 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM6N15AFU,LF(T
Bestellnummer4320133
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal100mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal2.3ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal2.3ohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal300mW
Verlustleistung, p-Kanal300mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
2.3ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
300mW
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
2.3ohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Verlustleistung, n-Kanal
300mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000635
Produktnachverfolgung