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TW045N120C,S1F(S
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.059 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTW045N120C,S1F(S
Bestellnummer4049759
Auch bekannt alsTW045N120C, TW045N120C,S1F
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 20,730 |
| 5+ | € 20,360 |
| 10+ | € 19,980 |
| 50+ | € 14,850 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTW045N120C,S1F(S
Bestellnummer4049759
Auch bekannt alsTW045N120C, TW045N120C,S1F
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.059ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung182W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.059ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
182W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006
Produktnachverfolgung