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TW083Z65C,S1F(S
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTW083Z65C,S1F(S
Bestellnummer4247126
Auch bekannt alsTW083Z65C, TW083Z65C,S1F
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 9,010 |
| 5+ | € 8,280 |
| 10+ | € 7,540 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTW083Z65C,S1F(S
Bestellnummer4247126
Auch bekannt alsTW083Z65C, TW083Z65C,S1F
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.083ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung111W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.083ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
111W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00655
Produktnachverfolgung