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TP65H150BG4JSG-TR
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 4.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H150BG4JSG-TR
Bestellnummer4371974
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 4,680 |
| 10+ | € 3,100 |
| 100+ | € 2,210 |
| 500+ | € 2,100 |
| 1000+ | € 2,060 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 4,68 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H150BG4JSG-TR
Bestellnummer4371974
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.18ohm
Gate-Ladung, typ.4.9nC
Bauform - TransistorPQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.18ohm
Bauform - Transistor
PQFN
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
16A
Gate-Ladung, typ.
4.9nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):1.12