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UF3C065040K3S
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerUF3C065040K3S
Bestellnummer4014233
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id54A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.042ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung12V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung326W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
54A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.042ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
12V
Verlustleistung
326W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0062