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SI1025X-T1-GE3
Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
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| Menge | |
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| 100+ | € 0,277 |
| 500+ | € 0,204 |
| 1000+ | € 0,156 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI1025X-T1-GE3
Bestellnummer2335271
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal190mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal190mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal4ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal4ohm
Bauform - TransistorSC-89
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal250mW
Verlustleistung, p-Kanal250mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
The SI1025X-T1-GE3 is a P-channel MOSFET designed for use with relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories and transistor driver, battery operated systems, power supply converter circuits and solid state relay applications. It offers ease in driving switches, low offset voltage, low-voltage operation, high-speed circuits, easily driven without buffer and small board area.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- High-side switching
- 4Ω Low ON-resistance
- 2V Low threshold
- 20ns Fast switching speed
- 23pF Low input capacitance
- Miniature package
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
190mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
4ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
250mW
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
190mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
4ohm
Bauform - Transistor
SC-89
Verlustleistung, n-Kanal
250mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
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