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SI3585CDV-T1-GE3
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
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| Menge | |
|---|---|
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| 9000+ | € 0,189 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI3585CDV-T1-GE3
Bestellnummer3879351
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.048ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.048ohm
Bauform - TransistorTSOP
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.4W
Verlustleistung, p-Kanal1.4W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.048ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.4W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.048ohm
Bauform - Transistor
TSOP
Verlustleistung, n-Kanal
1.4W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00033
Produktnachverfolgung