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Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4511DY-T1-GE3
Bestellnummer1779267
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal7.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal7.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0115ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0115ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2W
Verlustleistung, p-Kanal1.1W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Alternativen für SI4511DY-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
The SI4511DY-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET for level shift and load switch applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
7.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0115ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.1W
Produktpalette
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
7.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0115ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00025