Seite drucken
SI4532CDY-T1-GE3
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
45 629 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,387 |
| 500+ | € 0,323 |
| 1000+ | € 0,275 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
€ 43,70 (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von € 5,00 an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4532CDY-T1-GE3
Bestellnummer1779268RL
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.038ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.038ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2.78W
Verlustleistung, p-Kanal2.78W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
SI4532CDY-T1-GE3 ist ein zweifacher 30V-n- und p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET, der sich für die Verwendung in DC/DC-Wandlern und Lastschaltanwendungen eignet. Dieser LITTLE FOOT®-Leistungs-MOSFET zur Oberflächenmontage verwendet einen IC und Kleinsignalgehäuse, die modifiziert wurden, um die Wärmeleitfähigkeit bereitzustellen, die für Leistungsbausteine erforderlich sind.
- Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
- Rg: 100% getestet
- UIS: 100% getestet
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.038ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
2.78W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.038ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
2.78W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005