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SI4943CDY-T1-GE3
Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0275 ohm
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4943CDY-T1-GE3
Bestellnummer2335324
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0275ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0275ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal3.1W
Verlustleistung, p-Kanal3.1W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
SI4943CDY-T1-GE3 ist ein zweifacher P-Kanal-MOSFET in einem SMD-Gehäuse, der sich für Lastschaltanwendungen (z. B. Spielsysteme) und Akkuschaltanwendungen (z. B. 2-zellige Lithium-Ionen-Akkus) eignet.
- Halogenfrei
- TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
- 100% Rg- und UIS-getestet
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Computer & Computerperipheriegeräte
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0275ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
3.1W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0275ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
3.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
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