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SI4948BEY-T1-E3
Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4948BEY-T1-E3
Bestellnummer2396086RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal2.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.1ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.1ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.4W
Verlustleistung, p-Kanal1.4W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
SI4948BEY-T1-E3 ist ein zweifacher p-Kanal-MOSFET in einem SMD-Gehäuse.
- TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.1ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.4W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.1ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
1.4W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000262
Produktnachverfolgung