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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIZF640DT-T1-GE3
Bestellnummer4006715RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
100+ | € 1,760 |
500+ | € 1,560 |
1000+ | € 1,340 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIZF640DT-T1-GE3
Bestellnummer4006715RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal159A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal159A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.001ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.001ohm
Bauform - TransistorPowerPAIR
Anzahl der Pins9Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal62.5W
Verlustleistung, p-Kanal62.5W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Qualifikation-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
159A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.001ohm
Anzahl der Pins
9Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
62.5W
Produktpalette
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
159A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.001ohm
Bauform - Transistor
PowerPAIR
Verlustleistung, n-Kanal
62.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung