IRF7343TRPBF
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,330 |
| 10+ | € 0,880 |
| 100+ | € 0,609 |
| 500+ | € 0,483 |
| 1000+ | € 0,456 |
| 5000+ | € 0,404 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF7343TRPBF handelt es sich um einen zweifachen n/p-Kanal-MOSFET, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter Baustein zur Verwendung in zahlreichen Anwendungen. Das SO-8-Gehäuse wurde modifiziert durch einen benutzerdefinierten Leiterrahmen für ein verbessertes Wärmeverhalten und Dual-Die-Funktionalität, wodurch sich der Baustein hervorragend in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen eignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Bausteine in einer Anwendung verwendet werden mit deutlich weniger Platzverbrauch auf der Leiterplatte.
- Technologie der Generation V
- Äußerst niedriger Durchgangswiderstand (RDS(on))
- SMD-Baustein
- Vollständig Avalanche-fähig
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Komplementärer n- und p-Kanal
55V
4.7A
0.043ohm
8Pin(s)
2W
-
-
55V
4.7A
0.043ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat