FDC6306P

FDC6306P ist ein zweifacher p-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird. Diese Technologie ist speziell darauf ausgelegt, den Durchgangswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine niedrige Gate-Ladung für eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten. Dieser Baustein bietet eine herausragende Verlustleistung in einem sehr kompakten Gehäuse und eignet sich für Anwendungen, in denen größere und teurere Gehäuse unpraktisch sind. Er eignet sich unter anderem für die Verwendung in Lastschaltanwendungen.

• Niedrige Gate-Ladung
• Hohe Schaltfrequenz
• Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
• Kompakte Abmessungen
• Geringe Bauhöhe

Anwendungen

Industrie, Power-Management

Warnungen und Hinweise

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