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TP65H035G4YS
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H035G4YS
Bestellnummer4680953
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 22,790 |
| 5+ | € 19,560 |
| 10+ | € 16,300 |
| 50+ | € 14,400 |
| 100+ | € 12,500 |
| 250+ | € 12,250 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 22,79 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H035G4YS
Bestellnummer4680953
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id46.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.041ohm
Gate-Ladung, typ.42.7nC
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.041ohm
Bauform - Transistor
TO-247
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
46.5A
Gate-Ladung, typ.
42.7nC
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung