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A1F25M12W2-F1
Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerA1F25M12W2-F1
Bestellnummer4229252
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 192,500 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerA1F25M12W2-F1
Bestellnummer4229252
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationFourPack
KanaltypVierfach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.025ohm
Bauform - TransistorACEPACK 1
Anzahl der Pins22Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.9V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
FourPack
Dauer-Drainstrom Id
50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.025ohm
Anzahl der Pins
22Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.9V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
Vierfach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
ACEPACK 1
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
-
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):25