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SCTW100N65G2AG
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCTW100N65G2AG
Bestellnummer3387273
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 41,570 |
| 5+ | € 36,370 |
| 10+ | € 30,140 |
| 50+ | € 27,020 |
| 100+ | € 24,940 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCTW100N65G2AG
Bestellnummer3387273
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.02ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.1V
Verlustleistung420W
Betriebstemperatur, max.200°C
Produktpalette-
Produktbeschreibung
SCTW100N65G2AG is an automotive-grade silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- 650V drain-source voltage
- 100A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 420W total power dissipation at TC = 25°C
- HiP247 package
- Operating junction temperature range from -55 to 200°C
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.02ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.1V
Betriebstemperatur, max.
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
420W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0045
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